Deposition method and deposition substrate manufacturing method

WO2011114872 Art A1 22. September 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd., Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011114872
Aktenzeichen: EP11756061
Anmeldetag: 28. Februar 2011
Veröffentlichung: 22. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/04C23C14/12H01L51/50H05B33/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von