Semiconductor device

WO2011114919 Art A1 22. September 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011114919
Aktenzeichen: EP11756108
Anmeldetag: 1. März 2011
Veröffentlichung: 22. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242C23C14/08G11C11/405H01L21/02H01L21/8247H01L27/10H01L27/108H01L27/115H01L29/786H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von