Silicon oxide film forming method, and plasma oxidation apparatus

WO2011114961 Art A1 22. September 2011

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011114961
Aktenzeichen: EP11756150
Anmeldetag: 9. März 2011
Veröffentlichung: 22. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von