Silicon nitride passivation layer for covering high aspect ratio features

WO2011115997 Art A2 22. September 2011

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011115997
Aktenzeichen: EP11756861
Anmeldetag: 15. März 2011
Veröffentlichung: 22. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01L21/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von