Method for manufacturing semiconductor device

WO2011118510 Art A1 29. September 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011118510
Aktenzeichen: EP11759316
Anmeldetag: 11. März 2011
Veröffentlichung: 29. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368H01L21/28H01L21/283H01L21/316H01L27/146H01L29/417H01L51/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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