Manufacturing method for polycrystalline silicon ingot, and polycrystalline silicon ingot
WO2011118773
Art A1
29. September 2011
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation, Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011118773
- Aktenzeichen
- EP11759577
- Anmeldetag
- 25. März 2011
- Veröffentlichung
- 29. September 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B33/02B22D27/04C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mitsubishi Materials Corporation
Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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