Formation of liner and barrier for tungsten as gate electrode and as contact plug to reduce resistance and enhance device performance

WO2011119293 Art A2 29. September 2011

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011119293
Aktenzeichen: EP11759875
Anmeldetag: 28. Februar 2011
Veröffentlichung: 29. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L29/78H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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