Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2011121738 Art A1 6. Oktober 2011

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011121738
Aktenzeichen: EP10848917
Anmeldetag: 30. März 2010
Veröffentlichung: 6. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8244H01L27/11H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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