Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2011121756 Art A1 6. Oktober 2011

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011121756
Aktenzeichen: EP10848934
Anmeldetag: 31. März 2010
Veröffentlichung: 6. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/52

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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