Thin film polycrystalline silicon and process for production thereof, and plasma device for production of thin film polycrystalline silicon

WO2011121778 Art A1 6. Oktober 2011

Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011121778
Aktenzeichen: EP10848955
Anmeldetag: 31. März 2010
Veröffentlichung: 6. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/24C23C16/509

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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