Silicon-ozone cvd with reduced pattern loading using incubation period deposition

WO2011123217 Art A2 6. Oktober 2011

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011123217
Aktenzeichen: EP11763199
Anmeldetag: 4. März 2011
Veröffentlichung: 6. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/40C23C16/50C23C16/04H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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