Gate stack structure, semiconductor device, and methods for manufacturing them
WO2011124088
Art A1
13. Oktober 2011
Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011124088
- Aktenzeichen
- EP11765006
- Anmeldetag
- 6. April 2011
- Veröffentlichung
- 13. Oktober 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.
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