Silicon wafer alignment method applied to through silicon via interconnection

WO2011124091 Art A1 13. Oktober 2011

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011124091
Aktenzeichen: EP11765009
Anmeldetag: 8. April 2011
Veröffentlichung: 13. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/68H01L23/528

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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