Semiconductor device provided with semiconductor substrate having diode region and igbt region

WO2011125156 Art A1 13. Oktober 2011

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011125156
Aktenzeichen: EP10849400
Anmeldetag: 2. April 2010
Veröffentlichung: 13. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/04H01L21/265H01L21/322H01L21/336H01L21/76H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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