Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2011125928
Art A1
13. Oktober 2011
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011125928
- Aktenzeichen
- EP11765828
- Anmeldetag
- 1. April 2011
- Veröffentlichung
- 13. Oktober 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L21/3205H01L23/52H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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