Oxide for semiconductor layer of thin film transistor, sputtering target, and thin film transistor

WO2011126093 Art A1 13. Oktober 2011

Anmelder: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011126093
Aktenzeichen: EP11765993
Anmeldetag: 7. April 2011
Veröffentlichung: 13. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kobe Steel

Japanischer Mischkonzern mit Sitz in Kobe, gegründet 1905. Tätigkeitsfelder umfassen Stahl- und Aluminiumerzeugnisse, Maschinenbau sowie Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von