Method of forming a negatively charged passivation layer over a diffused p-type region

WO2011126660 Art A2 13. Oktober 2011

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011126660
Aktenzeichen: EP11766341
Anmeldetag: 10. März 2011
Veröffentlichung: 13. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/042H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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