Fabrication of large-area hexagonal boron nitride thin films

WO2011127258 Art A1 13. Oktober 2011

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011127258
Aktenzeichen: EP11716110
Anmeldetag: 7. April 2011
Veröffentlichung: 13. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/02C30B25/18C30B29/40C30B33/02C23C16/34H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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