Semiconductor structure for preventing leakage

WO2011127727 Art A1 20. Oktober 2011

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011127727
Aktenzeichen: EP10849736
Anmeldetag: 8. November 2010
Veröffentlichung: 20. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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