Verfahren zur Herstellung einer Dielektrischen Schicht auf einem Bauelement
WO2011128387
Art A1
20. Oktober 2011
Anmelder: Epcos AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011128387
- Aktenzeichen
- EP11715683
- Anmeldetag
- 13. April 2011
- Veröffentlichung
- 20. Oktober 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03H3/10H03H9/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Epcos AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
EPCOS
Deutscher Hersteller elektronischer Bauelemente wie Kondensatoren und Sensoren mit Sitz in München, seit 2009 Teil des japanischen TDK-Konzerns.
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