Wide band-gap mosfets having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices

WO2011130044 Art A1 20. Oktober 2011

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011130044
Aktenzeichen: EP11769303
Anmeldetag: 5. April 2011
Veröffentlichung: 20. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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