Method of etching mo-based metal gate stacked strecture based aluminum nitride barrier layer

WO2011130890 Art A1 27. Oktober 2011

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011130890
Aktenzeichen: EP10850024
Anmeldetag: 21. September 2010
Veröffentlichung: 27. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/283H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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