Mischung zur Herstellung einer Dotierten Halbleiterschicht

WO2011131185 Art A1 27. Oktober 2011

Anmelder: Novaled AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011131185
Aktenzeichen: EP11727633
Anmeldetag: 20. April 2011
Veröffentlichung: 27. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Novaled AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Novaled

Deutsches Unternehmen für OLED-Technologie mit Sitz in Dresden. Novaled entwickelt Materialien und Technologien zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden für Displays und Beleuchtung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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