Method for manufacturing glass substrate used for forming through-electrode of semiconductor device

WO2011132601 Art A1 27. Oktober 2011

Anmelder: Asahi Glass Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011132601
Aktenzeichen: EP11771936
Anmeldetag: 14. April 2011
Veröffentlichung: 27. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C03B33/02B23K26/00B23K26/06B23K26/38H01L23/15H01L23/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Asahi Glass Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 AGC (Asahi Glass)

Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.

7.331 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von