Gas field ionization source and ion beam device

WO2011132767 Art A1 27. Oktober 2011

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011132767
Aktenzeichen: EP11772098
Anmeldetag: 22. April 2011
Veröffentlichung: 27. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01J27/26H01J37/04H01J37/08H01J37/147H01J37/317

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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