N-type diffusion layer-forming composition, n-type diffusion layer production method and solar cell component production method

WO2011132779 Art A1 27. Oktober 2011

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2011132779
Aktenzeichen
EP11772110
Anmeldetag
22. April 2011
Veröffentlichung
27. Oktober 2011
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/225C03C8/18H01L31/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

2.257 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen