Method for patterning a substrate using ion assisted selective deposition

WO2011133836 Art A1 27. Oktober 2011

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011133836
Aktenzeichen: EP11772748
Anmeldetag: 22. April 2011
Veröffentlichung: 27. Oktober 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G03C5/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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