Manufacturing method of asymmetrical source and drain field effect transitor

WO2011134274 Art A1 3. November 2011

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011134274
Aktenzeichen: EP11774265
Anmeldetag: 19. April 2011
Veröffentlichung: 3. November 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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