High-output apparatus for manufacturing a polycrystal silicon ingot for a solar cell
WO2011136479
Art A2
3. November 2011
Anmelder: Korea Research Institute of Chemical Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011136479
- Aktenzeichen
- EP11775185
- Anmeldetag
- 5. April 2011
- Veröffentlichung
- 3. November 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/18H01L31/042
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Research Institute of Chemical Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Korea Research Institute of Chemical Technology
Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon, tätig in der Entwicklung von Chemikalien, Materialien und Verfahrenstechnik.
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