Field effect transistor and memory device

WO2011138941 Art A1 10. November 2011

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011138941
Aktenzeichen: EP11777460
Anmeldetag: 2. Mai 2011
Veröffentlichung: 10. November 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246G11C11/22H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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