Metal oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

WO2011143887 Art A1 24. November 2011

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011143887
Aktenzeichen: EP10851644
Anmeldetag: 29. September 2010
Veröffentlichung: 24. November 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/12H01L21/336H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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