Multi-semiconductor material vertical memory strings, strings of memory cells having individual biasable channel regions, memory arrays incorporating such strings,and methods of accessing and forming the same

WO2011146455 Art A2 24. November 2011

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011146455
Aktenzeichen: EP11784074
Anmeldetag: 17. Mai 2011
Veröffentlichung: 24. November 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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