Low schottky barrier semiconductor structure and method for forming the same

WO2011147256 Art A1 1. Dezember 2011

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011147256
Aktenzeichen: EP11786028
Anmeldetag: 10. Mai 2011
Veröffentlichung: 1. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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