Mos-driven semiconductor device and method for manufacturing mos-driven semiconductor device

WO2011148427 Art A1 1. Dezember 2011

Anmelder: Fuji Electric Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011148427
Aktenzeichen: EP10852100
Anmeldetag: 27. Mai 2010
Veröffentlichung: 1. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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