Siliciumcarbidsubstrat und Verfahren zu Seiner Herstellung
WO2011148843
Art A1
1. Dezember 2011
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011148843
- Aktenzeichen
- EP11786542
- Anmeldetag
- 19. Mai 2011
- Veröffentlichung
- 1. Dezember 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C30B33/06H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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