Pressure sensor and method for manufacturing pressure sensor

WO2011148973 Art A1 1. Dezember 2011

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011148973
Aktenzeichen: EP11786672
Anmeldetag: 25. Mai 2011
Veröffentlichung: 1. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G01L9/00B81B3/00B81C1/00H01L21/3065H01L29/84

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von