Forming method and crystallization method for an oxide semiconductor thin film using a liquid-phase process, and a method for forming semiconductor elements by using the same
WO2011149118
Art A1
1. Dezember 2011
Anmelder: Industry-academic Cooperation Foundation, Yonsei University 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011149118
- Aktenzeichen
- EP10852204
- Anmeldetag
- 24. Mai 2010
- Veröffentlichung
- 1. Dezember 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/208H01L21/8247H01L31/042H01L29/786H01L27/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Industry-academic Cooperation Foundation, Yonsei University
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der Yonsei University in Südkorea, verwaltet Erfindungen aus der universitären Forschung.
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