Resistive random access memory device, manufacturing method and operation method thereof

WO2011150749 Art A1 8. Dezember 2011

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011150749
Aktenzeichen: EP11789128
Anmeldetag: 19. Mai 2011
Veröffentlichung: 8. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L27/115G11C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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