Method for manufacturing memory cell including resistor

WO2011150750 Art A1 8. Dezember 2011

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011150750
Aktenzeichen: EP11789129
Anmeldetag: 19. Mai 2011
Veröffentlichung: 8. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00G11C13/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

Peking University ist eine chinesische Eliteuniversität in Peking mit breiter Forschung und Patenten in zahlreichen Technologiefeldern, unter anderem Biotechnologie und Materialwissenschaften.

639 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von