Method for damage-free junction formation

WO2011153074 Art A1 8. Dezember 2011

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011153074
Aktenzeichen: EP11730127
Anmeldetag: 26. Mai 2011
Veröffentlichung: 8. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/223H01L21/225H01L21/265H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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