Method for making metal gate stack structure in gate first process

WO2011153843 Art A1 15. Dezember 2011

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011153843
Aktenzeichen: EP11791835
Anmeldetag: 17. Februar 2011
Veröffentlichung: 15. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/336H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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