Integration method for dual metal gate and dual high dielectric of cmos device

WO2011153845 Art A1 15. Dezember 2011

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011153845
Aktenzeichen: EP11791837
Anmeldetag: 21. Februar 2011
Veröffentlichung: 15. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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