Electronic circuit and method for state retention power gating

WO2011154778 Art A1 15. Dezember 2011

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011154778
Aktenzeichen: EP10852815
Anmeldetag: 11. Juni 2010
Veröffentlichung: 15. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H03K3/356H03K19/003G06F1/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Software & Datenverarbeitung

Vertreten von