Siliziumcarbidsubstrat, Substrat mit Daran Angebrachter Epitaxialschicht, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Siliziumcarbidsubstrat

WO2011155234 Art A1 15. Dezember 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011155234
Aktenzeichen: EP11782357
Anmeldetag: 21. Februar 2011
Veröffentlichung: 15. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von