A resistance random access memory having a cross point structure, and a method for manufacturing same

WO2011155678 Art A1 15. Dezember 2011

Anmelder: Gwangju Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011155678
Aktenzeichen: EP10852960
Anmeldetag: 8. Dezember 2010
Veröffentlichung: 15. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Gwangju Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Gwangju Institute of Science and Technology

Das Gwangju Institute of Science and Technology ist eine staatliche technische Hochschule in Südkorea mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt durch Mess- und Prüftechnik sowie organische Chemie. Anmeldungen reichen von 2004 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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