Air gap isolation between the bit lines of a non-volatile memory and methods of manufacturing the same

WO2011156695 Art A1 15. Dezember 2011

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011156695
Aktenzeichen: EP11727083
Anmeldetag: 10. Juni 2011
Veröffentlichung: 15. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/115H01L21/764

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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