Methods for measuring and controlling distance between lower end surface of heat-blocking member and surface of starting material melt, and method for manufacturing silicon single crystal
WO2011158425
Art A1
22. Dezember 2011
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011158425
- Aktenzeichen
- EP11795333
- Anmeldetag
- 28. April 2011
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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