Substrate etching method and method for manufacturing sapphire substrate
WO2011158469
Art A1
22. Dezember 2011
Anmelder: ULVAC, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011158469
- Aktenzeichen
- EP11795377
- Anmeldetag
- 9. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ULVAC, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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