Verfahren zur Reinigung eines Siliciumcarbidhalbleiters und Vorrichtung zur Reinigung eines Siliciumcarbidhalbleiters

WO2011158558 Art A1 22. Dezember 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011158558
Aktenzeichen: EP11795466
Anmeldetag: 21. April 2011
Veröffentlichung: 22. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304H01L21/205H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von