Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2011158647 Art A1 22. Dezember 2011

Anmelder: Fuji Electric Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011158647
Aktenzeichen: EP11795555
Anmeldetag: 31. Mai 2011
Veröffentlichung: 22. Dezember 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/336H01L21/76H01L21/761H01L27/08H01L27/088H01L29/06H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fuji Electric Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von